| 型号 | SI3447BDV-T1-E3 |
| 厂商 | Vishay Siliconix |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-TSOP |
| SI3447BDV-T1-E3 PDF | ![]() |
| 代理商 | SI3447BDV-T1-E3 |
| 产品目录绘图 | DV-T1-E3 Series 6-TSOP |
| 标准包装 | 3,000 |
| 系列 | TrenchFET® |
| FET 型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4.5A |
| 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 40 毫欧 @ 6A,4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 14nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大 | 1.1W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) |
| 供应商设备封装 | 6-TSOP |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 产品目录页面 | 1665 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | SI3447BDV-T1-E3TR |